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Actualizar a Activo/Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin): 260ns (min.)
Arquitectura: Non-ECC
Calibración interna (auto): Calibración automática interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
Capacidad: 4 GB
CL(IDD): 11 ciclos
Clasificación UL: 35ns (min.)
Descripcion: ValueRAM de 512 M x 64 bits (4 GB) DDR3-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona) 1Rx8, memoria módulo, basado en ocho componentes FBGA de 512M x 8 bits. Los SPD está programado para la latencia estándar JEDEC DDR3-1600 sincronización de 11-11-11 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines usa oro dedos de contacto
Frecuencia: 1600MHz
Fuente de alimentación estándar EDEC: 1.5V
Garantia: De por vida
Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con inicio dirección “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]
Marca: KINGSTON
Modulo de memoria: DIMM
Otros: fCK de 800MHz para 1600Mb/seg/pin 8 banco interno independiente captación previa de 8 bits En la terminación de la matriz usando el pin ODT Restablecimiento asíncrono PCB: Altura 0,740” (18,75 mm) o 1,180” (30,00 mm)
RAM: DDR3
Temperatura de almacenamiento: De -55°C hasta mas de 100°C
Temperatura de funcionamiento: De 0°C a mas de 85°C
Tiempo activo de fila (tRASmin): 26.25ns(min.)
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
VDDQ: !.%V
Voltage: 1.35V
